- 产品型号 TP44220HB
- 品牌 Tagore Technology
- RoHS Yes
- 描述 GANFET 2N-CH 650V 30QFN
- 分类 FET、MOSFET 阵列
-
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技术细节
- 安装类型 30-PowerWFQFN
- 匝数 Surface Mount
- 速度 2 N-Channel (Half Bridge)
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 内部接触面处理 650V
- 外部接触面镀层厚度 10A (Tc)
- 深度 55pF @ 400V
- 25°C时的电阻值 236mOhm @ 500mA, 6V
- 三端双向可控硅开关类型 1.5nC @ 6V
- 势垒类型 2.5V @ 5.5mA
- 最大交流电压 30-QFN (8x10)
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