- 产品型号 SGT65R65AL
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS No
- 描述 RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
- 分类 RF FET、MOSFET
-
PDF
技术细节
- 安装类型 8-PowerVDFN
- 接触面镀层厚度 25A
- 匝数 Surface Mount
- 速度 N-Channel
- 总阻抗 5W
- 功能 - 照明 GaN HEMT
- 最大交流电压 PowerFlat™ (5x6) HV
- 引脚长度 650 V
- 400 V
相关产品
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
库存: 2198
GAN
库存: 0
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
库存: 721
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
库存: 2376
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
库存: 2234
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
库存: 0
650 V 95 A GAN FET
库存: 713
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
库存: 2815
