技术细节
- 安装类型 8-PowerTDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 8.2A (Tc)
- 套圈材料 41.6W (Tc)
- 势垒类型 1.6V @ 530µA
- 最大交流电压 PG-TSON-8-7
- 步进数量 -10V
- 600 V
- 87.7 pF @ 400 V
相关产品
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
库存: 2461
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
库存: 4355
TRANS GAN BUMPED DIE
库存: 12647
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
库存: 0
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
库存: 1985
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
库存: 3051
GANFET N-CH
库存: 1489
GAN HV
库存: 4106
650 V 95 A GAN FET
库存: 713
