库存:1512

技术细节

  • 速度 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • 功能 - 照明 Silicon Carbide (SiC)
  • 内部接触面处理 1200V (1.2kV)
  • 外部接触面镀层厚度 62.5A (Tc)
  • 深度 6050pF @ 800V
  • 25°C时的电阻值 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
  • 三端双向可控硅开关类型 200nC @ 18V
  • 势垒类型 5.15V @ 28mA

相关产品


SIC 6N-CH 1200V 51A MODULE

库存: 59

Top