- 产品型号 SCTH70N120G2V-7
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 90A (Tc)
- 25°C时的电阻值 30mOhm @ 50A, 18V
- 套圈材料 469W (Tc)
- 势垒类型 4.9V @ 1mA
- 最大交流电压 H2PAK-7
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +22V, -10V
- 1200 V
- 150 nC @ 18 V
- 3540 pF @ 800 V
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