技术细节

• 电压 NAND Gate
• 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 125°C
• 直径 - 内径 4.5V ~ 5.5V
• 电流 - 输入偏置（最大值） 2mA, 2mA
• 电流传输比（最大值） 2
• 高斯强度 2V
• 直径 - 圆筒 0.8V
• 宽度 - 内部 12ns @ 4.5V, 50pF
• 1
• 20 µA