- 产品型号 IGLD60R190D1AUMA1
- 品牌 (Infineon Technologies)
- RoHS No
- 描述 GAN N-CH 600V 10A LSON-8
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:1500
技术细节
- 安装类型 8-LDFN Exposed Pad
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 10A (Tc)
- 套圈材料 62.5W (Tc)
- 势垒类型 1.6V @ 960µA
- 最大交流电压 PG-LSON-8-1
- 步进数量 -10V
- 600 V
- 157 pF @ 400 V
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