Технические детали

• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200mV @ 250µ, 5mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 85 @ 5mA, 5V
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 200 mW
• Резистор — база (R1) 22 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 22 kOhms