Инвентаризация:2422

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 554.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.42mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 5W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFNW (8.3x8.4)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 126 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 16013 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF

Инвентаризация: 8967

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Инвентаризация: 4921

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Инвентаризация: 7686

PSMNR55-40SSH/SOT1235/LFPAK88

Инвентаризация: 5698

MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

Инвентаризация: 761448

Top