Инвентаризация:3665

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 533A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 0.48mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFNW (8.3x8.4)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 187 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 11800 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

Инвентаризация: 90

T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

Инвентаризация: 2939

MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW

Инвентаризация: 3000

MOSFET N/P-CH 100V 15A PPAK SO8

Инвентаризация: 379

Top