Инвентаризация:15358

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 12A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62.3 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2706 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON

Инвентаризация: 24667

MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 5276

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333

Инвентаризация: 256

IC TRANSLATOR UNIDIR 12UQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN

Инвентаризация: 1130

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT

Инвентаризация: 21033

MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN

Инвентаризация: 45518

Top