Инвентаризация:4713

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация N and P-Channel
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 900mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.5A, 5A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 650pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9nC @ 4.5V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SOIC

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Инвентаризация: 17578

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

Инвентаризация: 18975

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC

Инвентаризация: 28874

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO

Инвентаризация: 5008

Top