Инвентаризация:4000

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 733pF @ 20V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.2nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 100V 13A PWRDI50

Инвентаризация: 2500

Top