Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 580mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 100mA, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 510mW (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика X2-DFN1006-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
• ВГС (Макс) ±8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.8 nC @ 8 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 46.1 pF @ 10 V