Технические детали

• Пакет/кейс 3-XDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 10nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
• Частота – переход 340MHz
• Пакет устройств поставщика DFN1010D-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
• Мощность - Макс. 325 mW