Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 @ 150mA, 10V
• Частота – переход 200MHz
• Пакет устройств поставщика TO-92-B1
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 625 mW