Технические детали

• Пакет/кейс 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 2 NPN (Dual)
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 480mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 50nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
• Частота – переход 300MHz
• Пакет устройств поставщика DFN1412-6