Инвентаризация:117737

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-UFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 320mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X1-DFN1006-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 64 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 10426

SOP-8 MOSFETS ROHS

Инвентаризация: 2026

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA

Инвентаризация: 15236

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Инвентаризация: 107757

TRANS PNP 60V 0.6A SOT323

Инвентаризация: 133889

Top