- Модель продукта SIRA12BDP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11449
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 27A (Ta), 60A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Ta), 38W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) +20V, -16V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1470 pF @ 15 V