- Модель продукта FDP4D5N10C
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2075
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 128A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.4W (Ta), 150W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 310µA
- Пакет устройств поставщика TO-220-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 68 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5065 pF @ 50 V