Инвентаризация:13913

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.95mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 136W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 74µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8 FL
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 77 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5250 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON

Инвентаризация: 14317

MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8

Инвентаризация: 7274

Top