Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.5A (Ta), 3.2A (Ta)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC