Инвентаризация:6608

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 54mOhm @ 4A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 24W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 550 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN

Инвентаризация: 105460

MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Инвентаризация: 43731

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12UQFN

Инвентаризация: 4739

MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK

Инвентаризация: 8711

Top