- Модель продукта RD3T100CNTL1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 200V 10A TO252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 182mOhm @ 5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 85W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.25V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-252
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400 pF @ 25 V