Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2.5W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 650pF @ 25V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SO