Технические детали

• Пакет/кейс 4-DIP (0.300", 7.62mm)
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 600mOhm @ 600mA, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 4-HVMDIP
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 390 pF @ 25 V