Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 72A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 36A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 390W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1.5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263AA (IXFA)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 82 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5400 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Инвентаризация: 2240

MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA

Инвентаризация: 148

MOSFET N-CH 300V 72A TO263

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 250V 80A TO263

Инвентаризация: 1605

MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV

Инвентаризация: 0

Top