Технические детали

• Пакет/кейс 8-WDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Мощность - Макс. 1.7W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3.5A, 2.5A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80V, 70V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
• Частота – переход 160MHz, 180MHz
• Пакет устройств поставщика DFN3020B-8