- Модель продукта EMB11FHAT2R
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание TRANS 2PNP 100MA EMT6
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
-
PDF
Инвентаризация:4880
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Мощность - Макс. 150mW
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
- Частота – переход 250MHz
- Резистор — база (R1) 10kOhms
- Резистор — база эмиттера (R2) 10kOhms
- Пакет устройств поставщика EMT6
- Оценка Automotive
- Квалификация AEC-Q101