Инвентаризация:3925

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 5A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23.4 nC @ 8 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 995 pF @ 6 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN

Инвентаризация: 2970

MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN

Инвентаризация: 39615

MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Инвентаризация: 316861

Top