Инвентаризация:2854

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 3W (Ta), 37W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Ta), 42A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 640pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14.4mOhm @ 10A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 25µA
  • Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 11521

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 31312

MOSFET 2N-CH 40V 14A/52A 8DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN

Инвентаризация: 1300

MOSFET 2N-CH 60V 12A/49A 8DFN

Инвентаризация: 1375

MOSFET 2N-CH 60V 11A/42A 8DFN

Инвентаризация: 1500

MOSFET 2N-CH 80V 9.4A/31A 8DFN

Инвентаризация: 2930

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

Инвентаризация: 0

Top