Технические детали

• Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 24W, 52W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Tc), 85A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)