Инвентаризация:397612

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 5A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 47 nC @ 8 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2475 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 60V 0.21A 6TSSOP

Инвентаризация: 21453

MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB

Инвентаризация: 6222

Top