- Модель продукта A2G35S200-01SR3
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1577
Технические детали
- Пакет/кейс NI-400S-2S
- Тип монтажа Surface Mount
- Частота 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Выходная мощность 180W
- Прирост 16.1dB
- Технологии GaN HEMT
- Пакет устройств поставщика NI-400S-2S
- Напряжение - номинальное 125 V
- Напряжение - Тест 48 V
- Текущий — Тест 291 mA