Инвентаризация:7464

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 93 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3600 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


IC BUFFER NON-INVERT 5.5V SOT25

Инвентаризация: 136642

MOSFET N-CH 60V 250MA SST3

Инвентаризация: 299184

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8

Инвентаризация: 50792

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

Инвентаризация: 56729

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8

Инвентаризация: 19073

Top