Инвентаризация:2759

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.8mOhm @ 21A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 57W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 120µA
  • Пакет устройств поставщика 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2150 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN

Инвентаризация: 11783

MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN

Инвентаризация: 8368

MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN

Инвентаризация: 5082

MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN

Инвентаризация: 1880

Top