Инвентаризация:6965

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-XFDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Мощность - Макс. 480mW
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 1µA
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
  • Частота – переход 230MHz
  • Резистор — база (R1) 10kOhms
  • Резистор — база эмиттера (R2) 10kOhms
  • Пакет устройств поставщика DFN1412-6
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8VSSOP

Инвентаризация: 10120

MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB

Инвентаризация: 37489

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN

Инвентаризация: 8002

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)

Инвентаризация: 6544

Top