Технические детали

• Пакет/кейс 6-XFDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• Мощность - Макс. 480mW
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
• Частота – переход 180MHz
• Резистор — база (R1) 10kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 10kOhms
• Пакет устройств поставщика DFN1412-6
• Оценка Automotive
• Квалификация AEC-Q101