Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 68W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 20 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


IGBT 1200V 5A FS3 DPAK

Инвентаризация: 0

IAUC80N04S6L032ATMA1

Инвентаризация: 11847

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Инвентаризация: 14298

MOSFET 2N-CH 40V 24A/127A 8DFN

Инвентаризация: 1500

MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN

Инвентаризация: 8

Top