Инвентаризация:13063

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 49µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4400 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON

Инвентаризация: 13092

MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8

Инвентаризация: 16892

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP

Инвентаризация: 41509

Top