Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 60A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 188W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (5x6)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 98 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6500 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

Инвентаризация: 6962

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43

Инвентаризация: 13413

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Инвентаризация: 4685

MOSFET - N-CHANNEL SHIELDED GATE

Инвентаризация: 681

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

Инвентаризация: 1501

MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT

Инвентаризация: 9000

MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT

Инвентаризация: 2719

Top