Технические детали

• Пакет/кейс 6-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.5A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 6.5W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 500mV @ 250µA (Min)
• Пакет устройств поставщика 6-TDFN (2x2)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
• ВГС (Макс) ±12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10 nC @ 5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5.2 pF @ 6 V