Технические детали

• Пакет/кейс 6-VDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 6.25W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11.6A (Tc), 9A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 1.8V Drive
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 6-TDFN (2x2)