Инвентаризация:5140

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1525pF @ 30V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14.5nC @ 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 26A POWERDI50

Инвентаризация: 3497

MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8

Инвентаризация: 1773

MOSFET 2P-CH 60V 12A 8DFN

Инвентаризация: 10821

Top