Инвентаризация:13567

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 16A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 90µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2450 pF @ 150 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1

Инвентаризация: 6335

MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1

Инвентаризация: 12168

Top