- Модель продукта QS6M4TR
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:11019
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 1.25W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V, 20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.5A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 80pF @ 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TSMT6 (SC-95)