Инвентаризация:3726

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 113.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +15V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1000 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 660 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Инвентаризация: 4286

SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L

Инвентаризация: 691

SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L

Инвентаризация: 2569

Top