Инвентаризация:18551

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TA)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.6A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.75W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SOIC
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1140 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 6.6V 1W PMDU

Инвентаризация: 7784

MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO

Инвентаризация: 11484

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Инвентаризация: 20105

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Инвентаризация: 20216

MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC

Инвентаризация: 12512

Top