Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14.1A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 105mOhm @ 7A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 57W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 nC @ 7.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 608 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 75A 16SOIC

Инвентаризация: 5296

MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Инвентаризация: 3822

IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP

Инвентаризация: 4456

MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

Инвентаризация: 41854

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK

Инвентаризация: 18486

IC GATE NOR 1CH 2-INP SOT5

Инвентаризация: 13208

Top