- Модель продукта SIR624DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс PowerPAK® SO-8
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18.6A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 52W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 7.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23 nC @ 7.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1110 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Инвентаризация: 10590
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Инвентаризация: 7423
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5304
MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8
Инвентаризация: 349
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5783
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Инвентаризация: 0
